半导体,半导体存储,氧化物半导体器件,半导体装置类技术资料(168元/全套)（货到付款）

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[8163-0016-0001] 半导体装置的制造方法
[摘要] 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。
[8163-0038-0002] 具有透镜的LED光源
[摘要] 在本发明的光源内将主要为表面安装技术制造的LED(2)埋入到透明的填充材料(3)内，其内包含用于由LED发射光至少部分波长转换的转换器物质，并且一只透镜(4)粘合到透明填充材料上，其中填充材料具有凸表面(3A)，并且透镜(4)具有与填充材料凸表面形状适配的凹下底面(4A)。
[8163-0192-0003] 半导体存储装置及其制造方法
一位存储器单元MC由具有与其它部分电隔离的浮动体区的MOS晶体管构成，MOS晶体管的栅电极13连接字线WL、漏扩散层14连接位线BL、源扩散层15连接固定电位线SL，将MOS晶体管的体区12内注入由碰撞电离而产生的多数载流子并保持的第1阈值状态和随漏侧pn结的正向偏压而放出MOS晶体管的体区12的多数载流子的第2阈值状态作为二进制数据进行存储。因此，将简单的晶体管构造作为存储单元，可以提供信号线少，能够动态存储二进制数据的半导体存储装置。
[8163-0002-0004] 存储器装置及其制造方法和集成电路
[摘要] 提供一种能够精确读取数据的存储器装置、该存储器装置的制造方法、以及集成电路。第一控制电极实质上与第二控制电极相面对，传导区和存储区位于其间。在“数据读取”的同时，电势被施加到第一控制电极。在“数据读取”期间，防止了传导区和存储区之间的电势变化，因此防止了信息的无意写入或擦除,从而能够精确地读取写入的信息。
[8163-0034-0005] 埋置绝缘层上硅晶片顶层中制作有半导体元件的半导体器件的制造方法
[摘要] 一种制造半导体器件的方法，此器件包含具有半导体区(17、18、24、44、45)的半导体元件，该半导体区制作在位于埋置绝缘层(2)上的硅晶片(1)的顶层(4)中。在此方法中，执行通常称为前期工艺的第一系列工艺步骤，其中特别是硅晶片被加热到700℃以上的温度。然后，在顶层中制作延伸范围与埋置的绝缘层相同、且不与pn结相交的沟槽(25)。在用绝缘材料(26、29)已经填充所述沟槽之后，在通常称为后期工艺的第二系列工艺步骤中完成半导体器件，其中，晶片温度不超过400℃。用晶片不被加热到超过500℃的温度的淀积工艺来填充沟槽。以这种方式，能够制作包含具有非常小而浅的半导体区的半导体元件的半导体器件。
[8163-0104-0006] 一种处理装入智能插卡的削薄的芯片的方法
[摘要] 说明了各种用于处理各削薄的芯片以便装在各智能插卡之中的方法。一晶片在任何情况下借助于一粘接层以其前侧首先胶接于一载体衬底。然后此晶片从后侧被削薄并通过从后侧锯开而达到粘接层来被分割成为各个芯片。粘接层然后被溶解而各个芯片用一吸头提起而离开载体衬底并被投放在一特制托盘之内用于进一步加工处理。另外，从晶片锯出的各芯片借助于一第二粘接层以一连续的载体薄膜胶接在后侧上而第一粘接层然后用一种不会破坏第二粘接层的方法加以溶解。由载体薄膜接合起来的各芯片因而可以一起被提起而离开载体衬底而在溶解第二粘接层之后分别地被从载体薄膜上取出。晶片可以另外在锯切之前借助于一第二粘接层用一连续的载体薄膜胶接在后侧上。在此情况下，同样，第一粘接层被溶解而保持第二粘接层，而由载体薄膜加强的各个芯片然后被提起而离开载体衬底。
[8163-0007-0007] 发光二极管
[摘要] 一种能够用单一的发光元件芯片发出多种中间色调的小型且电流消耗量少的发光二极管，具有：基板；在前述基板上形成的电极；连接到前述电极、且配置在基板的上表面上的发光元件芯片；密封前述发光元件芯片上面侧的树脂件；以及分散在前述树脂件中的荧光颗粒和色素颗粒。来自前述发光元件芯片的光和由荧光颗粒进行了波长变换的光的波长的一部分被色素颗粒吸收。
[8163-0004-0008] 自发光器件及其驱动方法
[摘要] 提供了一种不容易产生伪轮廓的自发光器件以及一种驱动自发光器件的方法。为了防止看到诸如伪轮廓的显示不规则性，子帧周期从最长的子帧周期顺序被分割，且已经被分割的子帧周期(被分割的子帧周期)被分布在一帧周期内，以便不相继出现。然后，在多个被分割的子帧周期中，第一被分割的子帧周期内读出的数据被存储在各个象素的存储器中，并在其它被分割的子帧周期内读出所存储的数据，从而执行显示。根据上述结构，于是能够防止观察到诸如使用二进制编码方法的时分驱动中明显的伪轮廓之类的显示障碍。
[8163-0074-0009] 半导体集成电路器件的制造方法及掩模制作方法
[摘要] 在同一洁净室内提供有每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模制作区和半导体集成电路器件制造区。光掩模的制作和半导体集成电路器件的制造共用制造和检查设备。
[8163-0031-0010] 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法
[摘要] 本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法。该器件包括靠近基片梳形平行的第一电极和第二电极，远离基片的第三电极，以及夹在所述第一、第二电极和第三电极之间的有机半导体层和绝缘层。该制备方法中的绝缘层采用具有良好绝缘性能的有机材料，通过全蒸镀法正向制备有机薄膜场效应晶体管，从而有效增大了晶体管的饱和电流，缩小了晶体管面积。
[8163-0045-0011] 制作散热型集成电路芯片塑料封装的安装散热片方法
[8163-0008-0012] 半导体器件及其制造方法
[8163-0115-0013] 半导体存储器电路的电容器的制造方法
[8163-0018-0014] 一种焦平面读出电路像素阵列的布图方法和金属布线结构
[8163-0146-0015] 金属基座复合元件
[8163-0137-0016] 一种用于结晶硅层的方法
[8163-0063-0017] 半导体器件及其制造方法
[8163-0013-0018] 一种集成电路封装用基板结构及其制造方法
[8163-0101-0019] 太阳电池以及太阳电池元件
[8163-0062-0020] 半导体器件及其制造方法
[8163-0022-0021] 半导体装置和半导体模块
[8163-0083-0022] 自行对准位线接触窗与节点接触窗制造方法
[8163-0125-0023] 分体式热电偶制冷和发电技术
[8163-0053-0024] 复合集成电路的设计验证方法
[8163-0052-0025] 金属导线的制造方法
[8163-0210-0026] 模块组件和电子器件
[8163-0211-0027] 半导体模块及其制造方法
[8163-0041-0028] 成膜方法和成膜装置
[8163-0079-0029] 用于微调集成电路的电路和方法
[8163-0130-0030] 高密度电子封装及其制造方法
[8163-0028-0031] 参考电压半导体
[8163-0113-0032] 接触构件及其生产方法以及采用该接触构件的探针接触组件
[8163-0023-0033] 半导体装置和半导体模块
[8163-0128-0034] 一种电可擦写的分子基有机电双稳薄膜器件及其制作工艺
[8163-0196-0035] Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法
[8163-0033-0036] 用横向生长制备氮化镓层
[8163-0197-0037] 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
[8163-0185-0038] 静电放电防护元件及相关的电路
[8163-0163-0039] 可降低邻近效应的光刻制作方法
[8163-0021-0040] 薄型封装的半导体器件及其制造方法
[8163-0006-0041] 光元件用光学器件和用该光元件用光学器件的设备
[8163-0109-0042] 半导体集成电路器件的制造方法
[8163-0043-0043] 电子零件的制造方法和制造装置
[8163-0088-0044] 电光器件及其驱动方法
[8163-0111-0045] 引线框架和引线框架的制造方法
[8163-0095-0046] 塑料芯片载具的无毛边堡形通孔的制造方法和产品
[8163-0144-0047] 双金属镶嵌结构开口的制造方法
[8163-0206-0048] 含多晶有源层的薄膜晶体管及其制造方法
[8163-0212-0049] 电压转换电路
[8163-0090-0050] 有包膜荧光粉的发光器件
[8163-0097-0051] 具有双极性晶体管的半导体装置
[8163-0138-0052] 提高硅化物热稳定性的方法
[8163-0012-0053] 形成沟道金属氧化物半导体器件和端子结构的方法
[8163-0155-0054] 具有反向隧穿层的发光二极管
[8163-0061-0055] 固体摄像装置
[8163-0127-0056] 一种超导薄膜谐振器
[8163-0047-0057] 螺旋接触器及该装置制造方法,以及应用该装置的半导体检测设备和电子元件
[8163-0073-0058] 改善光致抗蚀剂图案侧边轮廓的方法
[8163-0154-0059] 氮化铟镓发光二极管
[8163-0181-0060] 具散热结构的半导体封装件
[8163-0143-0061] 半导体芯片设计方法
[8163-0058-0062] 半导体器件和半导体组件
[8163-0036-0063] 有机薄膜半导体器件的制造方法
[8163-0040-0064] 液态膜干燥方法及液态膜干燥装置
[8163-0199-0065] 利用加热到部分凝胶态的底层填料底层填充控制熔塌芯片连接(C4)集成电路封...
[8163-0218-0066] 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
[8163-0162-0067] 氮化物半导体元件
[8163-0134-0068] 带有改进的接触点的电可编程存储器元件
[8163-0165-0069] 增加半导体的介电材质的粘附性质的方法
[8163-0076-0070] 在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法及结构
[8163-0180-0071] 封装胶体具有肩部的半导体封装件及用以封装该半导体封装件的模具
[8163-0123-0072] 太阳能电池
[8163-0186-0073] 沟槽限定硅锗静电放电二极管网络
[8163-0201-0074] 制造一种具有由光敏树脂保护的集成电路的便携式电子装置的方法
[8163-0213-0075] 半导体集成电路系统
[8163-0176-0076] 具溢胶防止结构的半导体封装件及其制法
[8163-0070-0077] 高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法
[8163-0184-0078] 导线架具有凹部的半导体封装件
[8163-0102-0079] 制造半导体产品的设备
[8163-0035-0080] 集成电路装置
[8163-0014-0081] 电路装置的制造方法
[8163-0179-0082] 功率半导体器件
[8163-0059-0083] 一种硅锗器件
[8163-0010-0084] 电容器的连线结构的制造方法
[8163-0189-0085] 半导体集成电路
[8163-0037-0086] 铝合金背面结太阳电池及其制作方法
[8163-0082-0087] 具有电容器的半导体存储器件的制造方法
[8163-0217-0088] 有控制栅隔片的浮栅存储单元的半导体存储阵列自对准方法及制造的存储阵列
[8163-0215-0089] 利用超薄介质击穿现象的可再编程不挥发性存储器
[8163-0161-0090] 有机电致发光器件及其制造方法
[8163-0112-0091] 影像感测元件及其封装方法
[8163-0001-0092] 非易失性半导体存储器件及其制造方法
[8163-0103-0093] 测绘在硅晶片表面上金属杂质浓度的工艺方法
[8163-0151-0094] 一种新颖整流元件的结构及其制法
[8163-0204-0095] 半导体装置及其制造方法
[8163-0133-0096] 具有低开启电压的磷化铟肖特基装置及其制造方法
[8163-0200-0097] 采用各向异性湿法刻蚀的宽展沟槽的方法
[8163-0147-0098] 无晶片承载件的半导体装置及其制法
[8163-0160-0099] 大功率半导体器件的供电及散热装置
[8163-0060-0100] 半导体存储器
[8163-0003-0101] 热光电池及其制备方法
[8163-0205-0102] 具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法
[8163-0177-0103] 具有外露晶片座的半导体封装件
[8163-0056-0104] 半导体装置及其制造方法
[8163-0048-0105] 半导体器件的制造方法
[8163-0132-0106] 改进的射频功率晶体管
[8163-0009-0107] 薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法
[8163-0114-0108] 薄膜晶体管平面显示器
[8163-0136-0109] 具有定位结构的晶圆载入机及其安装方法
[8163-0119-0110] 设置在半导体电路中的保护电路
[8163-0167-0111] 改善CMOS数字图像传感器成像质量的γ射线辐照方法
[8163-0174-0112] 补偿型金属氧化物半导体器件结构及其制造方法
[8163-0029-0113] 沟道金属氧化物半导体器件和端子结构
[8163-0116-0114] 具有电容器的半导体存储器件的制造方法
[8163-0121-0115] 非易失性半导体存储装置
[8163-0158-0116] 具有降低接通电阻的超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件
[8163-0194-0117] 发光二极管晶片的封装及其印刷电路板基底的结构
[8163-0172-0118] 半导体集成电路的测试装置及半导体集成电路的测试方法
[8163-0086-0119] 有机芯片载体的高密度设计
[8163-0149-0120] 具有多个存储体的数据存储器
[8163-0017-0121] 半导体装置的制造方法
[8163-0094-0122] 金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器
[8163-0171-0123] 集成电路封装基板上的覆晶焊垫
[8163-0150-0124] 一种单电子晶体管及其制备方法
[8163-0105-0125] 具有二种不同的底层填充材料的可控崩塌芯片连接(C4)集成电路封装件
[8163-0027-0126] 化合物半导体开关电路装置
[8163-0068-0127] 改进的静电放电二极管结构
[8163-0071-0128] 静电控制的隧道晶体管
[8163-0065-0129] 发光二极管驱动电路和用它的光传输模块
[8163-0084-0130] IC芯片封装组件
[8163-0020-0131] 半导体装置和使用它的液晶模块以及液晶模块的制造方法
[8163-0198-0132] 半导体存储元件的制法
[8163-0024-0133] 散热基板及半导体模块
[8163-0142-0134] 底部栅极型薄膜晶体管及其制造方法和显示装置
[8163-0191-0135] 半导体器件及其制造方法
[8163-0188-0136] 提高磁隧道结中击穿电压的方法
[8163-0054-0137] 互补式金属氧化物半导体的制造方法
[8163-0069-0138] 平板固态光源
[8163-0080-0139] 图案检查设备,和使用其的曝光设备控制系统
[8163-0046-0140] 半导体器件及用于制造半导体器件的测试方法
[8163-0141-0141] 有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法
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[8163-0126-0143] 由一维纳米线阵列结构温差电材料构制的微温差电池
[8163-0075-0144] 金属栅极形成方法
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[8163-0193-0148] 一种集成电路的封装结构
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[8163-0067-0150] 双向静电放电二极管结构
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(1)、银行汇款：本套资料标价(是网传价，不包含邮费，如邮寄光盘加收15元快递费，快递公司不能到达的地区加收22元的邮政特快专递费)汇入下列任一银行帐号（需带身份证），款到发货！
中国农业银行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中国邮政银行:602250302200014417     收款人: 王雷
中国建设银行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中国工商银行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中国    银行：418330501880227509    户  名：王雷
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